2022年02月下旬，无锡某半导体公司来我司考察SiC器件动态参数测试系统。该企业是一家专业从事半导体分立器件研发、生产的高科技电子企业，产品广泛应用于消费电子、以及汽车电子系统等诸多系统和领域。考察人员对我司产品给予了高度的肯定，并对我司技术研发能力表示高度的认可。

本次考察的测试设备是由西安易恩电气科技股份有限公司自主研制、生产的半导体SiC动态参数测试的专用设备，该测试设备是针对MOSFET与IGBT分立器件的动态参数如开关特性、栅极电荷、短路特性、二极管反向恢复特性、结电容等专门设计的一套全自动测试系统，额定测试电流不超过300A，测试电压不超过1200V。可对各类型二极管、MOSFET、IGBT等分立器件的各项动态参数如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、集电极短路电流、输入电容、输出电容、反向转移电容、栅极串联等效电阻、雪崩耐量进行测试。测试系统兼容多种规格器件的测试，可对TO220、TO247(3L)、T0247(4L)、TO263(2L)、TO263(7L)、T0252、DFN5×6、DFN8×8、DFN3.3×3.3、SOT23、SOP8、TOLL等封装进行测试。